特許
J-GLOBAL ID：200903070748553421
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270540
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 モールドの凹凸が有機膜に良好に転写されるようにして、有機膜パターンの形状を向上させる。【解決手段】 半導体基板12の上に、軟化剤としてのジブチルフタレートを含むポリメチルメタクリレートよりなる有機膜13を形成した後、二酸化炭素の超臨界流体14中において、モールド基板10と反転パターン11とからなるモールドを有機膜13に押し付けて、反転パターン11の形状を有機膜13に転写する。反転パターン11を有機膜13に押し付けた状態で、モールド及び半導体基板12を超臨界流体14の外部に取り出した後、反転パターン11を有機膜13から離脱させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、軟化剤を含む有機膜を形成する工程と、超臨界流体中において、パターン形成用の凸部又は凹部を有するモールドを前記有機膜に押し付けて前記凸部又は凹部の形状を前記有機膜に転写する工程と、前記モールドを前記有機膜から離脱させる工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
Fターム (3件)：
5F046AA22
, 5F046AA25
, 5F046AA28
