特許
J-GLOBAL ID：200903070754976989

固定電解質キャスティング用離形フィルム

発明者：
森本 幸朗

森本 幸朗 について


出願人/特許権者：
帝人株式会社

帝人株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044127
公開番号（公開出願番号）：特開2001-236992
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 キャスティングした固体電解質の表面に、シリコーン樹脂、金属化合物およびオリゴマーなどの移行が抑制され、且つ、離形フィルムの表面形状が転写されない固体電解質キャスティング用離形フィルムの提供。【解決手段】 ゲルマニウム化合物を重縮合反応触媒に用いて得られるポリエステルからなるフィルムとその少なくとも片面に形成されたシリコーン離形層とからなり、該シリコーン離形層表面の中心線平均粗さが高々0.4μmの離形フィルムであって、シリコーン離形層に粘着テープの粘着剤面を貼り合せてから両者を剥離した際に、シリコーン離形層から粘着剤面へのシリコーン移行量が、電子分光分析による粘着剤面に移行したケイ素元素の存在比で、高々5atom%であることを特徴とする固定電解質キャスティング用離形フィルム。
請求項（抜粋）：
ゲルマニウム化合物を重縮合反応触媒に用いて得られるポリエステルからなるフィルムとその少なくとも片面に形成されたシリコーン離形層とからなり、該シリコーン離形層表面の中心線平均粗さが高々0.4μmの離形フィルムであって、シリコーン離形層に粘着テープの粘着剤面を貼り合せてから両者を剥離した際に、シリコーン離形層から粘着剤面へのシリコーン移行量が、電子分光分析による粘着剤面に移行したケイ素元素の存在比で、高々5atom%であることを特徴とする固定電解質キャスティング用離形フィルム。
IPC (5件)：
H01M 10/40 ,  B32B 27/00 ,  B32B 27/00 101 ,  B32B 27/36 ,  H01B 13/00
FI (5件)：
H01M 10/40 B ,  B32B 27/00 L ,  B32B 27/00 101 ,  B32B 27/36 ,  H01B 13/00 Z
Fターム (25件)：
4F100AK41A ,  4F100AK41K ,  4F100AK42 ,  4F100AK52B ,  4F100AK52C ,  4F100AK52D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100EJ05D ,  4F100EJ38 ,  4F100EJ65D ,  4F100GB41 ,  4F100JK15B ,  4F100JK15C ,  4F100JL14 ,  4F100JL14B ,  4F100JL14C ,  5H029DJ09 ,  5H029EJ03 ,  5H029EJ11 ,  5H029EJ12 ,  5H029HJ04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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