特許

J-GLOBAL ID：200903070758109309

窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長

発明者： 蔡 宗 良 ,  張 智 松
出願人/特許権者： ユナイテッド エピタクシー カンパニー リミッテッド
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011695
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170991
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物化合物半導体の成長時の転位密度を減少させるための材料および構造の提供。【解決手段】 半導体構造中にはII族窒化物化合物の単結晶島層が含まれ、この層の上にIII族窒化物化合物半導体層が成長する。それによって、GaN化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。また、本発明により、III族窒化物化合物半導体の結晶化特性が改良される。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上のII族窒化物化合物単結晶島層と、前記II族窒化物化合物単結晶島層上の第1のIII族窒化物化合物半導体層と、前記第1のIII族窒化物化合物半導体層上のIII族窒化物発光領域と、前記III族窒化物発光領域上の第2のIII族窒化物化合物半導体層と、を含んでなる発光半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Fターム (57件)：

4G077AA03 ,  4G077AA10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-061187   出願人：株式会社東芝
• GaN系半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-064360   出願人：豊田合成株式会社