特許
J-GLOBAL ID：200903005140329808
レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317525
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139357
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【目的】 複数の珪素膜に対しレーザーアニールを行うに際し、良好な結晶性珪素膜を安定して得る。【構成】 レーザー光の照射エネルギー密度と、試料(珪素膜)の加熱温度を、アニール後の珪素膜が示す、ラマン半値半幅(ラマン半値幅の1/2の値)、または、屈折率、または、その両方の、好ましい範囲に従って決定する。これにより、レーザー光の照射エネルギー密度および加熱温度の、好ましい範囲が得られ、その範囲内でアニールされた結晶性珪素膜は、異なる珪素膜間で同質または類似の、優れた膜質・膜特性を有する。
請求項（抜粋）：
複数の珪素膜に対してレーザーアニールを行う方法であって、アニール後の珪素膜が示すラマン半値半幅に従って、後の珪素膜に対するレーザー光の照射エネルギー密度と珪素膜の加熱温度とを決定することを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (5件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
