特許
J-GLOBAL ID：200903070827596403
パターン検査装置およびそれを用いた半導体検査システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-177121
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351888
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 電子顕微鏡等で撮影した半導体デバイスの画像に複数レイヤーのパターンが含まれる場合において、検査対象とするレイヤー以外のパターンの影響を排除して、精度の高いパターンの検査を行うことを実現する。【解決手段】 本発明のパターン検査装置は、例えば走査型電子顕微鏡システムに搭載することができ、SEM画像に複数レイヤーのパターンが含まれている場合に、前記パターンに対応する複数レイヤーのCADデータを利用することで、前記パターンをレイヤー毎に分離する。これにより、検査対象レイヤーのパターンのみを利用した検査や、レイヤー毎に異なるパターン検査や、レイヤー間の位置ずれ量の検出を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを撮影した画像データから半導体デバイスのパターンデータを抽出するパターン抽出手段と、
前記画像データに含まれているパターンに対応したレイヤー毎の複数のCADデータと、前記パターンデータとからレイヤー毎に分類したパターンデータを生成するパターンレイヤー生成手段を備えたことを特徴とするパターン検査装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001DA09
, 2G001FA01
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB20
, 4M106DB21
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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