特許
J-GLOBAL ID：200903070844587540
誘導結合プラズムを用いて基板をエッチングする装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-537030
公開番号（公開出願番号）：特表2004-512680
出願日： 2001年03月17日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
ここに提案されているのは、誘導結合プラズム(14)を用いて基板(10)、例えばシリコン基体をエッチングする装置(5)と、この装置(5)とによって実施される方法であり、ここではICP源(13)によって高周波の電磁交番界が形成され、反応器(15)においてこの交番界により、上記の高周波の電磁交番場が反応ガスに作用させられることによって、反応性の粒子から上記の誘導結合プラズム(14)が形成される。さらに基板(10)とICP源(13)との間に静的または時間的に変化する磁界が形成され、このために互いに重なって配置された少なくとも2つの界磁コイル(21,21′)が設けられている。さらにこのように形成された磁界の方向は、基板(10)と誘導結合プラズム(14)とを結ぶ線によって定められる方向に近似的に平行である。【外1】
請求項（抜粋）：
誘導結合プラズムを用いて基板、例えばシリコン基体をエッチングする装置であって、
高周波の電磁的な交番界を形成するICP源と、
該高周波の電磁的な交番界を反応ガスに作用させることによって、反応性の粒子から前記誘導結合プラズムを形成する反応器とを有し、
第1手段が設けられており、
該手段によって前記の基板とICP源との間に静的または時間的に変化する磁界が形成される形式の、誘導結合プラズムを用いて基板をエッチングする装置において、
前記の第1手段は、互いに重なって配置される少なくとも2つの界磁コイル(21,21′)を有することを特徴とする、
誘導結合プラズムを用いて基板をエッチングする装置。
IPC (5件)：
H01L21/3065
, B01J19/08
, H01J37/32
, H05H1/10
, H05H1/46
H01L21/302 101C
, B01J19/08 H
, H01J37/32
, H05H1/10
, H05H1/46 L
4G075AA30
, 4G075BC06
, 4G075BD14
, 4G075CA25
, 4G075CA43
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075EA06
, 4G075EB01
, 4G075EB41
, 4G075EC21
, 4G075EC30
, 4G075EE31
, 4G075FB02
, 5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004DA00
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB01
