特許

J-GLOBAL ID：200903070855267539

半導体装置及びその製造方法

発明者： 樽井 陽一郎 ,  大塚 健一 ,  今泉 昌之 ,  杉本 博司 ,  高見 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (5件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-017002
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319964
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とJFET抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】SiCを用いた縦型のMOSFETにおいて、ソース領域4とベース領域5とを、テーパ形状の同一マスク9を用いてイオン注入を行うことにより形成し、ベース領域5の形状をテーパ形状とする。また、テーパ形状の同一マスク9の材料として、イオン注入の飛程がSiCと同じ材料を用いた場合、マスク9のテーパ角度を30°〜60°とし、SiO2を用いた場合、20°〜45°とする。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

SiCを用いた縦型のMOSFETにおいて、 ベース領域の形状をテーパ形状とした ことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/78 658B ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 M ,  H01L21/265 V

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化けい素縦型MOSFETおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036080   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072364   出願人：株式会社デンソー
• 炭化けい素MOSFETの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-301439   出願人：富士電機株式会社
• 炭化けい素縦形FETの製造方法および炭化けい素縦形FET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-000665   出願人：富士電機株式会社