特許
J-GLOBAL ID：200903070856531612
薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092567
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285417
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、再生トラック幅に対応する磁気応答領域幅を正確に形成でき、磁気応答領域への有効電流を増やし、かつリードの段差部における絶縁膜の段切れを防止できる構造を提供する。【解決手段】 選択的に形成されている磁気抵抗効果層4と、磁気抵抗効果層4を挟んで形成されている磁気バイアス層5と、磁気抵抗を検出するための一対のリード7と、リード7の下部であって磁気抵抗効果層4との間に形成されたキャップ層6を有している。この構成により、キャップ層6の端面で磁気応答領域4aを厳密に規定できるとともに、リード7からの電流がキャップ層6の先端部から磁気応答領域4aへ集中して流れ込むようになり、S/N比が向上する。
請求項（抜粋）：
絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与えるために前記磁気抵抗効果層を挟んで形成されている磁気バイアス層と、前記磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隙を隔てて形成されている一対のリードと、前記リードの下部であって前記磁気抵抗効果層との間に形成されたキャップ層と、前記磁気抵抗効果層、前記磁気バイアス層および前記一対のリードを覆って形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成された上部シールド磁性層とを有する薄膜磁気ヘッド。
Fターム (6件)：
5D034BA02
, 5D034BA09
, 5D034BA12
, 5D034CA04
, 5D034CA06
, 5D034CA08
