特許

J-GLOBAL ID：200903070858098754

半導体装置の作製方法

発明者： 荒尾 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231037
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043950
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】配線にアルミニウムからなる導電膜を用い、画素電極にITO膜を用いると、配線と画素電極との接する領域におけるコンタクト抵抗が高くなってしまい、信頼性の高い液晶表示装置を作製することが困難であった。【解決手段】配線を複数の導電膜の積層構造とし、ドレイン電極部の最上層のアルミニウムからなる導電膜を除去した後に、画素電極となるITO膜を形成することにより、信頼性の高い液晶表示装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

複数の導電膜を積層して配線および遮光膜を形成した後、前記配線の最上層の導電膜を除去し、前記配線および前記遮光膜上に層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜に前記遮光膜および前記配線に達するコンタクトホールを形成し、前記遮光膜上に絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜および前記絶縁膜上に画素電極を形成する工程を含む半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 ,  G09F 9/30 349 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/1368

FI (11件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 A ,  G09F 9/30 349 C ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/35 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R

Fターム (121件)：

2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA39 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB27 ,  2H092JB36 ,  2H092JB38 ,  2H092JB42 ,  2H092JB51 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA24 ,  2H092MA28 ,  2H092RA05 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094ED15 ,  5C094HA08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN58 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK02 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-057344   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019856   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-253571   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特許第2924506号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-211195   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所