特許
J-GLOBAL ID:200903071134775874
半導体装置およびその作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-057344
公開番号(公開出願番号):特開2000-353809
出願日: 2000年03月02日
公開日(公表日): 2000年12月19日
要約:
【要約】【課題】 動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 有機樹脂膜376上に、陽極酸化可能な材料からなる電極377、378と、その陽極酸化膜378と、その上の画素電極379〜382とで画素容量を形成する。この陽極酸化膜は、単位時間当たりの印加電圧が15V/minで陽極酸化され、電極配線の回り込みがないため、膜剥がれを防止できる。
請求項(抜粋):
有機樹脂膜上に第1の電極と、該第1の電極の表面の少なくとも一部に酸化膜と、該酸化膜の少なくとも一部を覆って第2の電極とからなる容量を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H01L 29/786
, G02F 1/13 505
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (8件):
H01L 29/78 619 B
, G02F 1/13 505
, G09F 9/30 338
, H01L 21/316 T
, G02F 1/136 500
, H01L 21/88 S
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 612 A
引用特許:
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