特許
J-GLOBAL ID：200903070865533083
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231284
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086215
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ディッシングを抑制し、ポリッシング処理後に残留する研磨粒子を充分に除去でき、良好に膜の平坦化、埋め込み金属配線形成等を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】凹凸部を有する基板21の少なくとも凸部に、被加工膜25の材料より研磨速度が遅い材料からなる耐研磨性膜24を形成する工程、前記耐研磨性膜24上に前記被加工膜25を形成する工程、並びに前記耐研磨性膜の厚さ以下の粒径を有する研磨粒子27を含む研磨剤を用いて前記被加工膜25を研磨する工程を具備することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
凹凸部を有する基板の少なくとも凸部に、被加工膜の材料より研磨速度が遅い材料からなる耐研磨性膜を形成する工程、前記耐研磨性膜上に前記被加工膜を形成する工程、並びに前記耐研磨性膜の厚さ以下の粒径を有する研磨粒子を含む研磨剤を用いて前記被加工膜を研磨する工程、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 1/00
