半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073796
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266344
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】活性層に窒化ガリウム系材料を用いる半導体レーザに関し、しきい値電流密度を低減することを目的とする。【解決手段】該活性層の膜厚を3nm以上6nm以下とするように構成する。

請求項（抜粋）：