三次元デバイスの一体化方法および一体化されたデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-569878
公開番号（公開出願番号）：特表2003-528466
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】デバイス一体化方法及び一体化されたデバイスである。方法は、基板(20)を有する半導体デバイス(14)を、素子(10)に直接接着する工程、及び接着後に基板の一部を除去して半導体デバイスの残部を露出する工程を含む。素子は、放熱、インピーダンス整合に、又はRF分離に用いられる基板、アンテナ、及び受動素子からなる整合ネットワークの1つを含み得る。第1の放熱基板は、半導体デバイスの残部に接着することができる。配線(51)は、第1又は第2の基板を介して形成することができる。方法は、また、複数の半導体デバイス(165)を素子(163)に接着する工程を含むことができ、素子は、半導体デバイスが配置される凹部(167)を有してもよい。複数のコンタクト構造体を有する導体アレイ(78)は、半導体デバイス(77)の露出された表面に形成することができ、ヴィアは半導体デバイスを介してデバイス領域に形成することができ、配線(81,82,83)は、前記デバイス領域及び前記コンタクト構造体の間に形成することができる。

請求項（抜粋）：

第1の基板を有する第1の半導体デバイス上に第1の接着材料を形成する工程、第2の基板を有する第1の素子上に第2の接着材料を形成する工程、前記第1および第2の接着材料を直接接着する工程、前記第1の基板の一部を除去して、前記第1の半導体デバイスの残部を露出する工程、および前記一体化されたデバイスをパッケージに実装する工程を具備する一体化されたデバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/00 301 , H01L 27/00 , H01L 21/02 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 27/00 301 C , H01L 27/00 301 B , H01L 21/02 B , H01L 31/04 Y

Fターム (5件)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB30 , 5F051DA15 , 5F051DA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-294846
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-028057 出願人：山形日本電気株式会社
3次元集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-244734 出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.

全件表示

前のページに戻る