特許
J-GLOBAL ID：200903070943073361
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355925
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158142
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 リードフレームと封止樹脂の接合性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 導電性板材10に素子搭載部12及び複数のリード13を備えたリードフレーム11を形成し、リードフレーム11の全面に下地めっき18を施し、その上にPdめっき19の皮膜を形成し、更にその上に金めっき20の皮膜を形成する。次に、素子搭載部12に半導体チップ21を搭載し、半導体チップ21とリード13との電気的接続を行った後、リードフレーム11の表面に露出する金めっき20を剥離し、これらを樹脂封止する。
請求項（抜粋）：
導電性板材をプレス加工及び/又はエッチング加工によって、素子搭載部及び複数のリードを備えたリードフレームを形成する第1工程と、前記リードフレームの全面に下地めっきを施し、その上にパラジウムめっき皮膜を形成し、更にその上に金めっき皮膜を形成する第2工程と、前記リードフレームの素子搭載部に半導体チップを搭載すると共に、該半導体チップの電極パッドと前記リードとを電気的に接続する第3工程と、前記半導体チップが搭載され更に前記リードとの電気的接合も完了した前記リードフレームの表面に露出する金めっきを剥離する第4工程と、前記金めっきが剥離されたリードフレームに搭載されている半導体チップを樹脂封止する第5工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 T
, H01L 23/50 H
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061DD13
, 5F067AA04
, 5F067AA05
, 5F067AB03
, 5F067AB04
, 5F067BA02
, 5F067DC19
