特許

J-GLOBAL ID：200903070963927774

高周波用伝送線路およびその製造方法

発明者： 町田 克之 ,  永妻 忠夫 ,  ナビル サーリ ,  石井 仁 ,  久良木 億 ,  斎藤 國夫 ,  八木 祥次
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281033
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102815
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 比抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した高周波用伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。【解決手段】 信号線103およびグランド線104と半導体基板101との間に介在する絶縁膜102と、信号線103の両側の半導体基板101に形成された溝105とを備え、信号線103およびグランド線105は、半導体基板101に接している辺より半導体基板101に垂直な隣辺の方が長い長方形状の断面を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属材料からなる信号線と、前記半導体基板上に前記信号線と平行に形成された金属材料からなるグランド線と、前記信号線および前記グランド線と前記半導体基板との間にそれぞれ介在する絶縁膜と、前記信号線の両側に隣接して前記半導体基板に形成された溝とから構成され、前記信号線および前記グランド線は、前記半導体基板に接している辺より前記半導体基板に垂直な隣辺の方が長い長方形状の断面を有することを特徴とする高周波用伝送線路。

IPC (5件)：

H01P 3/02 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 11/00

FI (5件)：

H01P 3/02 ,  H01P 11/00 G ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 R ,  H01L 27/04 D

Fターム (23件)：

5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033MM00 ,  5F033MM08 ,  5F033MM17 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F033SS15 ,  5F033VV00 ,  5F033VV05 ,  5F033XX23 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 伝送路配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195001   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-368005
  
• 高周波線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-282412   出願人：日本電信電話株式会社
• 誘電体基板および誘電体基板を用いた高周波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-351965   出願人：株式会社リコー