特許

J-GLOBAL ID：200903070992518123

アクティブ半導体デバイスを有する装置および導電接続アクティブ・デバイスを形成する方法

発明者： ルイス・ル-チェン・スー ,  ジャック・アラン・マンデルマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317523
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置および半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、アイソレーション領域15の1つ以上の側壁に形成された半導体材料よりなるメサ領域に形成された第1のアクティブ・デバイスと、導電パスとを有する。また、導電パスは、アクティブ・デバイスからメサ領域の長さ方向に延びている。一実施例では、複数のアクティブ・デバイスが、メサ領域に形成され、メサ領域によって電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

アクティブ半導体デバイスを有する装置であって、アイソレーション領域の1つ以上の側壁に形成された半導体材料よりなるほぼ連続するメサ領域に形成された第1のアクティブ・デバイスと、前記メサ領域に形成され、前記第1のアクティブ・デバイスから前記メサ領域の長さ方向に延びる導電パスと、を備えることを特徴とするアクティブ半導体デバイスを有する装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-266482   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272513   出願人：株式会社東芝