電圧参照回路およびそれを用いた半導体回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293628
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111455
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】プロセス、温度、電源電圧の変動があっても、設計者が使用可能な電圧範囲で所望の動作が可能な半導体装置回路を提供することである。【解決手段】しきい値電圧参照回路は、プロセスに基づくMOSトランジスタのプロセス電圧vthrefを出力するプロセス検知回路101と、プロセス検知回路101により出力されたプロセス電圧vthrefが狙い目Vth#centerのどちらに変動したかを判定し、制御信号を出力する基準電圧比較回路102から構成されている。しきい値電圧Vthnが狙い目Vth#centerよりある電圧以上高い場合は、プロセスが遅いと判断して信号prcssをHレベルにし、ある電圧以上低い場合は、プロセスが速いと判断して信号prcsfをHレベルにする。つまり、しきい値電圧Vthがどちらに変動したのか、制御信号から判断することができる。

請求項（抜粋）：

トランジスタのしきい値電圧の変動を検知する検知回路と、前記しきい値電圧の変動を監視し、この変動を制御信号として出力する基準電圧比較回路とを備え、前記検知回路は、ソースが第1の電源に接続され、ドレインがゲートに接続された一導電型の第1のMOSトランジスタと、ソースが前記第1の電源に接続され、ゲートが前記第1のMOSトランジスタのゲートに接続された一導電型の第2のMOSトランジスタと、ソースが第1の抵抗を介して第2の電源に接続され、ドレインが前記第1のMOSトランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第2のMOSトランジスタのドレインに接続された逆導電型の第3のMOSトランジスタと、ソースが前記第2の電源に接続され、ドレインが前記第2のMOSトランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第3のMOSトランジスタのソースに接続された逆導電型の第4のMOSトランジスタと、前記第3のMOSトランジスタのソースに接続された出力信号線とを備えることを特徴とする電圧参照回路。

IPC (4件)：

H03K 5/08 , H03L 7/099 , G05F 3/24 , H03F 3/34

FI (4件)：

H03K 5/08 E , G05F 3/24 B , H03F 3/34 C , H03L 7/08 F

Fターム (43件)：

5H420NA03 , 5H420NA12 , 5H420NA16 , 5H420NA17 , 5H420NB02 , 5H420NB16 , 5H420NC03 , 5H420NC26 , 5J039DA12 , 5J039DB05 , 5J039MM01 , 5J039MM02 , 5J091AA03 , 5J091AA58 , 5J091CA05 , 5J091CA15 , 5J091CA37 , 5J091FA01 , 5J091FA08 , 5J091HA10 , 5J091HA16 , 5J091HA17 , 5J091HA25 , 5J091KA09 , 5J091KA17 , 5J091KA47 , 5J091MA14 , 5J091MA21 , 5J091TA01 , 5J091TA02 , 5J106AA04 , 5J106CC03 , 5J106CC24 , 5J106CC38 , 5J106CC52 , 5J106DD32 , 5J106EE03 , 5J106EE18 , 5J106EE19 , 5J106GG01 , 5J106GG15 , 5J106KK13 , 5J106KK14

引用特許：

出願人引用 (4件)

PLL周波数シンセサイザ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-230518 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
位相同期回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105503 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-168308

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審査官引用 (6件)

PLL周波数シンセサイザ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-230518 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
位相同期回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105503 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-168308

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