特許
J-GLOBAL ID：200903071084644170
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319890
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154393
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 音声や画像等を扱うためにプログラムを大きな単位で行うことができ、大容量ファイル装置に適した不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 複数の不揮発性メモリセルがマトリクス状に配設されたメモリセルアレイ(300)と、制御コマンドをデコードするコマンドデコード手段(230)と、このコマンドデコード手段の出力に基づいて選択された行に属する所定数の複数のメモリセルについて順次レジスタとの間でデータをシリアル転送してページ単位のプログラムおよび読み出しを行うページモード動作の不揮発性半導体メモリにおいて、レジスタは通常のページ単位の整数倍のデータ保持領域を有するページレジスタ(310)であり、コマンドデコード手段によるデコード結果に基づき、プログラム単位を指定するコマンドが含まれているときには所定数を指定されたページ単位にする制御手段(200)とを備える。
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリセルがマトリクス状に配設されたメモリセルアレイと、制御コマンドをデコードするコマンドデコード手段と、前記コマンドデコード手段の出力に基づいて選択された行に属する所定数の複数のメモリセルについて順次レジスタとの間でデータをシリアル転送してページ単位のプログラムおよび読み出しを行う不揮発性半導体メモリにおいて、前記レジスタは通常のページ単位の整数倍のデータ保持領域を有するページレジスタであり、前記コマンドデコード手段によるデコード結果に基づき、プログラム単位を指定するコマンドが含まれているときには前記所定数を指定されたページ単位にする制御手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 611 G
, G11C 17/00 613
