特許
J-GLOBAL ID：200903071103467098
形状特徴に基づく欠陥検出の方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234951
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133418
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体ICデバイスの欠陥の検出において擬似欠陥の検出を最小化するとともに実際の欠陥の検出を確実にする。【解決方法】 被検画像からの画素のグレーレベルを基準画像からの対応画素のグレーレベルと対応させてプロットすることにより二次元分散プロットを作成する。その分散プロットに雑音除去フィルタ処理を適用して、マスク生成用に抽出可能であり補填可能であるマスク形状を区画する。被検画像上の欠陥画素を、互いに対応する画素グレーレベル値と上記マスクとの比較により特定する。この発明の主要な用途は半導体ICデバイス製造中の半導体ウェーハ欠陥の検出である。
請求項（抜粋）：
欠陥を検出する方法であって、(a)検査対象の物体の第1の画像およびそれと関連する第2の画像を生ずる過程と、(b)前記第1の画像を前記第2の画像と位置合わせする過程と、(c)前記第1の画像からの画素のグレーレベルを前記第2の画像からの対応の画素のグレーレベルと対応させてプロットすることにより第1のプロットを作成する過程と、(d)前記第1のプロットをフィルタ処理することにより第2のプロットを作成する過程と、(e)前記第2のプロットの形状により区画された縁部を有するマスクを作成する過程と、(f)前記第1の画像に現れる欠陥を検出するように前記マスクを用いる過程とを含む方法。
IPC (8件)：
G01N 21/956
, G01B 11/24
, G01B 15/00
, G01N 13/10
, G06T 1/00 305
, G06T 7/00 200
, H01L 21/66
, G01N 23/225
G01N 21/956 A
, G01B 15/00 B
, G01N 13/10 E
, G06T 1/00 305 A
, G06T 7/00 200 C
, H01L 21/66 J
, G01N 23/225
, G01B 11/24 F
