欠陥検査方法および装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110383
公開番号（公開出願番号）：特開平11-304718
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ上に形成されたパターンの膜厚の違いによって生じる明るさむらの影響を受けることなく、パターンの微小な欠陥を高感度に検出すること。【解決手段】基板上に本来同一となるように形成された複数個の組のパターンの欠陥を検査する方法において、第1の被検査パターンを検出してこの第1の被検査パターンの第1の画像を得、この第1の画像を記憶し、第2の被検査パターンを検出してこの第2の被検査パターンの第2の画像を得、記憶した第1の画像と第2の画像との明るさを合わせ、この明るさを合わせた第1の画像と第2の画像とを比較することによりパターンを検査するようにした。

請求項（抜粋）：

基板上に本来同一となるように形成された複数個の組のパターンの欠陥を検査する方法であって、第1の被検査パターンを検出して該第1の被検査パターンの第1の画像を得、該第1の画像を記憶し、第2の被検査パターンを検出して該第2の被検査パターンの第2の画像を得、前記記憶した第1の画像と前記第2の画像との明るさを合わせ、該明るさを合わせた第1の画像と第2の画像とを比較することにより前記パターンを検査することを特徴とする被検査パターンの欠陥検査方法。

IPC (3件)：

G01N 21/88 , G01B 11/30 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/88 E , G01B 11/30 G , H01L 21/66 Z , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (6件)

パターン比較検査方法とその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-326795 出願人：株式会社日立製作所
半導体チップの外観検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-299966 出願人：東芝エンジニアリング株式会社
特開平4-194702

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