特許
J-GLOBAL ID：200903022944269931
形状特徴に基づく欠陥検出方法及び装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208575
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 パターン形成ずみの半導体IC基板の欠陥の検出において擬似欠陥の検出を最小化しスループットを上げる。【解決方法】 パターン形成ずみの基板を検出する方法であって、基準画像および被検画像を形成する過程と、前記基準画像から形状特徴を抽出するとともに前記被検画像から形状特徴を抽出する過程と、前記基準画像の形状特徴と前記被検画像の形状特徴とをマッチングする過程と、欠陥を検出するように前記基準画像の形状特徴を前記被検画像の形状特徴と比較する過程とを含む方法を提供する。この発明の実施例には、パターン形成ずみ基板の検査装置、パターン形成ずみ基板の検査用のプロセッサを有するシステムの制御のための命令を含むコンピュータ読取可能な媒体、およびパターン形成ずみ基板の検査システムの制御用のコンピュータ読取可能なプログラムコードを有するコンピュータ利用可能な媒体を含むコンピュータプログラムプロダクトなどがある。画像としては電子ビーム電圧コントラスト画像を用いることができる。
請求項（抜粋）：
パターン形成ずみの基板を検出する方法であって、(a)基準画像および被検画像を形成する過程(610)と、(b)前記基準画像から形状特徴を抽出するとともに前記被検画像から形状特徴を抽出する過程(620)と、(c)前記基準画像の形状特徴と前記被検画像の形状特徴とをマッチングする過程(625)と、(d)欠陥を検出するように前記基準画像の形状特徴を前記被検画像の形状特徴と比較する過程(630)とを含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01N 23/225
, G06T 7/00
, H01J 37/22 502
, G01N 13/10
H01L 21/66 J
, G01N 23/225
, H01J 37/22 502 H
, G01N 13/10 E
, G06F 15/62 405 A
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
