特許
J-GLOBAL ID:200903071106921369
電子管
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-024313
公開番号(公開出願番号):特開平6-243795
出願日: 1993年02月12日
公開日(公表日): 1994年09月02日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、電子導入層が良好なアキュームレーション状態を示す半導体素子を内蔵した電子管を提供することを目的とする。【構成】 p型の第1の半導体材料からなる基板(11)上に、第1の半導体材料よりも仕事関数が小さい第2の半導体材料からなる電子導入層(14)が形成された半導体素子(10)が内蔵されている。このように仕事関数が異なる2つの半導体材料を接触させると、第2の半導体材料から第1の半導体材料に電子が移動し、且つ正孔が反対方向に移動して、フェルミ準位が一定になるように作用する。このため、電子導入層(14)は表面部に正孔の多いアキュームレーション状態となり、打ち込まれた電子によって電子導入層(14)の表面付近に発生した電子は、表面部で再結合することなく、基板(11)と電子導入層(14)の接合部に到達し、信号として検出される。
請求項(抜粋):
入射光を電子に変換する光電面と、この光電面より放出された電子を検出する半導体素子とを備えた電子管において、前記半導体素子は、p型の第1の半導体材料からなる基板と、この基板上に形成された第2の半導体材料からなる電子導入層とを備え、前記第1の半導体材料の仕事関数が前記第2の半導体材料の仕事関数より小さいことを特徴とする電子管。
IPC (6件):
H01J 29/45
, H01J 31/50
, H01L 21/339
, H01L 29/796
, H04N 5/335
, H01L 31/10
FI (2件):
H01L 29/76 301 E
, H01L 31/10 Z
引用特許:
出願人引用 (13件)
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特開平4-211181
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特開昭60-152971
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特開昭63-294657
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半導体光電面およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-159369
出願人:日本電気株式会社
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中性粒子ビーム発生方法及び処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-090969
出願人:川崎製鉄株式会社
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特開昭56-045543
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紫外線検知装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-227277
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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特開昭63-198251
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特開平4-303534
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特開平4-305982
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特開昭60-085578
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外部光電効果型固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-092319
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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特開平1-194356
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審査官引用 (7件)
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