特許
J-GLOBAL ID:200903071110954271
シリコンウエハ上の窒化膜形成方法及びシリコンウエハのエッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤谷 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-310134
公開番号(公開出願番号):特開平9-129636
出願日: 1995年11月01日
公開日(公表日): 1997年05月16日
要約:
【要約】【課題】シリコンダイヤフラムの加工精度を向上させること。【解決手段】シリコンウエハ2 の第一面2aを研磨し, ウエハ2 を所定の肉厚に形成すると共に鏡面状態にした後, 水にて洗浄する((a)図) 。次にプラズマCVD 装置を用い, 第一面2aをNH3800SCCM,N2300SCCMのガス流量で, 電極間隔35mm, RF出力0.6kW(50kHz),0.25Torr,300 °Cにて90秒間プラズマ処理を行った後に,20%SiH4/N21000SCCM,NH3300SCCM,N2900SCCM,0.45Torr で他は前記処理と同一条件でシリコン窒化膜1 を形成する((b)図) 。続いてホトエッチングにより窒化膜1 を除去し, 所定の形状の開口部1aを設け, ウエハ2 を露出させる((c)図) 。そして温度110 °C, 濃度32wt% のKOH 水溶液を用いてウェットエッチングを行うことにより, 肉厚約30μm で側面部4 を有したダイヤフラム部3 が形成される((d)図) 。
請求項(抜粋):
シリコンウエハの面に対して、NH3 、またはN2 とNH3 を用いてプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理された前記面上にシリコン窒化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とするシリコンウエハ上の窒化膜形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/318
, H01L 21/306
, H01L 29/84
FI (3件):
H01L 21/318 B
, H01L 29/84 B
, H01L 21/306 B
引用特許:
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