特許
J-GLOBAL ID:200903071111482055
半導体装置およびその製法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河村 洌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-012647
公開番号(公開出願番号):特開2002-164498
出願日: 2001年01月22日
公開日(公表日): 2002年06月07日
要約:
【要約】【課題】 複数の第2半導体チップを搭載するCOCタイプの半導体装置において、第1半導体チップ内部の汎用化を図りながら、第2半導体チップ間同士で信号の授受を行う必要のある場合でも、第1半導体チップの半導体装置内の設計を変更することなく、直接第2半導体チップ間で信号の授受を行えるような半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 第1半導体チップ1の表面側に複数個の第2の半導体チップ2a、2bがバンプ電極11、21を介して接合される場合に、複数個の第2半導体チップのうち、2個の第2半導体チップ2a、2bの電極端子22a、22b同士を直接接続する配線9が、第1半導体チップ1のパシベーション膜17の最表面に形成されている。
請求項(抜粋):
第1半導体チップの表面側に複数個の第2半導体チップがそれぞれの電極端子を介して接続される半導体装置であって、前記複数個の第2半導体チップのうち、2個の第2半導体チップの電極端子同士を直接接続する配線が、前記第1半導体チップのパシベーション膜の最表面に形成されてなる半導体装置。
IPC (5件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60 311
, H01L 21/3205
FI (3件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 25/08 B
, H01L 21/88 T
Fターム (22件):
5F033GG02
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033MM08
, 5F033MM13
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033VV07
, 5F044KK05
, 5F044KK18
, 5F044LL00
, 5F044QQ03
, 5F044QQ06
, 5F044RR02
, 5F044RR03
引用特許:
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