半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144051
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326465
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】高機能で低コストな積層型LSIを提供することを目的とする。【解決手段】 2つの半導体素子31及び32を互いに主面同士を向き合わせた状態で積層し、一方の半導体素子31の電極から保護膜35上に電気的に延在した配線層36と他方の半導体素子32の電極上に形成された突起電極38とを電気的に接合することによって分割したチップまたは機能が全く異なる異種チップ同士を積層する。これにより、異なる機能をもつ2つのLSIチップを高速性を損なうことなく積層化することが可能となり、これによりさらに高機能で高性能なLSIチップを低コストで実現することができる。

請求項（抜粋）：

第1の電極を有する第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子上の保護膜上に形成された第2の電極と、前記保護膜上に形成されるとともに前記第1の電極と前記第2の電極とを接続する配線層と、前記第2の電極及び前記配線層を介して前記第1の電極との電気的な接続を行う第3の電極を有するとともに前記第1の半導体素子に積層された第2の半導体素子とを有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/52 , H01L 21/60 311 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/52 C , H01L 21/60 311 S , H01L 25/08 Z

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-328857
特開昭63-107057
集積回路チップおよび複合半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-318629 出願人：シャープ株式会社

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