特許

J-GLOBAL ID：200903071117572811

半導体装置の製造装置及びその製造方法

発明者： 上野 和良
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075195
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274105
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】膜の堆積速度、結晶配向及び粒成長を制御することができる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板W上に膜を熱CVD反応により堆積するために用いられ、基板W又は基板W上に堆積された膜に接触する電極端子6を備えたリング7と、そのリング7の電極端子6に電流あるいは電位を印加する電源部9と、電極端子6を基板W又は基板W上に堆積された膜に接触したり離脱するために、リング7を上下に移動させるピストンシリンダ装置8と、を有する。

請求項（抜粋）：

基板上に膜を熱CVD反応により堆積するために用いられる半導体装置の製造装置において、基板又は基板上に堆積された膜に電流あるいは電位を印加する電源部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-320325
  
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-030191   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070342   出願人：川崎製鉄株式会社