成膜装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-265303
公開番号（公開出願番号）：特開2007-077436
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】噴霧されたミストの流れを制御することにより、膜形成に寄与するミストの割合を増大させ、成膜速度および成膜効率を向上した成膜装置を提供すること。【解決手段】本発明の成膜装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記被処理体の一面に向けて、前記薄膜の原料溶液からなるミストを噴霧する吐出手段と、前記吐出手段の吐出口の近傍に給気口を配してなる給気手段と、を少なくとも備え前記給気手段は、前記吐出口から噴霧されたミストを、前記被処理体の一面に押さえ込むように前記給気口から気体を供給することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スプレー熱分解法により被処理体の一面上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記被処理体の一面に向けて、前記薄膜の原料溶液からなるミストを噴霧する吐出手段と、前記吐出手段の吐出口の近傍に給気口を配してなる給気手段と、を少なくとも備え、前記給気手段は、前記吐出口から噴霧されたミストを、前記被処理体の一面に押さえ込むように前記給気口から気体を供給することを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , B05B 13/00 , C23C 16/40

FI (3件)：

C23C16/44 A , B05B13/00 , C23C16/40

Fターム (15件)：

4F035AA04 , 4F035CA02 , 4F035CA05 , 4F035CB03 , 4F035CB13 , 4F035CC01 , 4K030AA03 , 4K030AA14 , 4K030BA11 , 4K030EA01 , 4K030EA04 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 5G323BA03 , 5G323BB02

引用特許：

出願人引用 (6件)

実開平06-012446号公報
特開平2-288665号公報
特開平4-164895

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審査官引用 (4件)

特開平4-164895
半導体結晶膜の成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-281794 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-169559 出願人：日本スピンドル製造株式会社, 有限会社マイクロシステム

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