特許
J-GLOBAL ID：200903071152007060

セラミック基板用組成物およびセラミック基板の製造方法

発明者：
平原 誠一郎

平原 誠一郎 について

, 
古瀬 辰治

古瀬 辰治 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393082
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198143
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】900〜1100°C程度の比較的低温でAg系やCu系、Au系等の導体金属と同時焼成でき、気孔率が低く、高い強度を有するセラミック基板用組成物およびセラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】焼成過程において気孔率が10%以下になるまで収縮が可能な主たる80質量%以上のフィラーと、20質量%以下のガラスとからなる、または80質量%未満のフィラーと、20質量%を越えるガラスとからセラミック組成物に対して、主たるセラミック組成物が単独で最終的な収縮量の80%進行した後に軟化するガラスを2〜15質量%添加する。
請求項（抜粋）：
焼成過程において気孔率が10%以下になるまで収縮が可能な主たるセラミック組成物に対して、主たるセラミック組成物が単独で最終的な収縮量の80%進行した後に軟化するガラスを2〜15質量%添加してなるセラミック基板用組成物。
IPC (6件)：
H05K 3/46 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/495 ,  H01B 3/02 ,  H01B 3/12 333 ,  H05K 1/03 610
FI (7件)：
H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 H ,  C04B 35/46 F ,  H01B 3/02 A ,  H01B 3/12 333 ,  H05K 1/03 610 C ,  C04B 35/00 J
Fターム (58件)：
4G030AA02 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA04 ,  4G030GA14 ,  4G030GA17 ,  4G030GA20 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA12 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA04 ,  4G031GA06 ,  4G031GA09 ,  4G031GA11 ,  5E346AA12 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD13 ,  5E346EE23 ,  5E346EE24 ,  5E346GG03 ,  5E346GG05 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH31 ,  5G303AA05 ,  5G303AB12 ,  5G303AB15 ,  5G303AB17 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM