特許
J-GLOBAL ID：200903071161914380
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007092
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209435
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】ゲート電極の開口部に再現性の良好なサイドエッチング部を形成でき、かつ機械的強度の高いゲート電極を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、ゲート電極10を埋め込む開口部を有し、開口部はSiO2層7とSiN層8の多層構造から成り、かつSiO2層7が略水平方向に選択的にエッチングされて形成されたサイドエッチング部14を有し、そのサイドエッチング部14にゲート電極10が入り込んでいる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極を埋め込む開口部を有する半導体装置において、前記開口部はSiO2層とSiN層の多層構造から成り、かつSiO2層が略水平方向に選択的にエッチングされて形成されたサイドエッチング部を有し、そのサイドエッチング部に前記ゲート電極が入り込んでいることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 F
