半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135064
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332618
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 Si基板を用いながらも、改善された発光強度を有するGaN系発光素子、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 Si基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、p型層と、n型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。Si基板の下面には開口を設け、該開口の内部には、バッファ層および/または積層構造が露出している。これによって、発光層から下方へ発せられた光のうち、開口に達した光は、Si基板で吸収されることなく、開口を通って外界に出て行くことが可能となり、発光出力が向上する。

請求項（抜粋）：

Si基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層からなる積層構造が形成され、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、p型層と、n型層と、これらの間に位置する発光層とを有し、Si基板の下面には開口が設けられ、該開口の内部には、バッファ層および/または積層構造が露出していることを特徴とする、GaN系半導体発光素子。

Fターム (10件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB15 , 5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-045232 出願人：株式会社日立製作所
特開昭55-043883
特開平4-132274

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