成膜装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小谷悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271571
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083774
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】成膜室の大型化や増設を伴うことなく、複数種の膜を円滑に効率よく、しかも高精度で積層形成する。【解決手段】複数種の膜をプラズマCVDにより積層する装置。成膜速度の低いプラズマCVD装置を収容する低速成膜室1a,1b,7a,7bと、成膜速度の高いプラズマCVD装置を収容する高速成膜室4とを併設する。低速成膜室と高速成膜室との間に圧力調節室2a,2b,6a,6bを介在させ、基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるようにする。

請求項（抜粋）：

基材上に複数種の膜を重ねて形成するための成膜装置において、成膜用のプラズマCVD装置を収容する低速成膜室と、成膜用のプラズマCVD装置であって前記低速成膜室に収容されるプラズマCVD装置よりも成膜速度が高く、かつ、運転圧力の異なるプラズマCVD装置を収容する高速成膜室と、前記低速成膜室と高速成膜室との間に介在し、内部圧力が調節可能な圧力調節室とを備えるとともに、前記低速成膜室及び高速成膜室と前記圧力調節室との間にそれぞれ開閉手段が設けられ、前記基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から前記圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるように構成されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/509 , C23C 16/54 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/509 , C23C 16/54 , H01L 31/04 T

Fターム (31件)：

4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030JA09 , 4K030KA11 , 4K030KA15 , 4K030KA16 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AE19 , 5F045BB08 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DQ14 , 5F045EB08 , 5F045EH04 , 5F045EH14 , 5F045EN04 , 5F045HA24 , 5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA04 , 5F051CA16 , 5F051CA22 , 5F051CA24 , 5F051CA35 , 5F051CA37

引用特許：

審査官引用 (3件)

気相反応被膜作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-032876 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-201722 出願人：三洋電機株式会社, 森勇藏
基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-031224 出願人：国際電気株式会社

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