特許
J-GLOBAL ID：200903071222168996

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置

発明者：
奥野 英一

奥野 英一 について

, 
山本 武雄

山本 武雄 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-125594
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282973
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるJBSを備えたSiC半導体装置を提供する。【解決手段】ショットキー電極4のうちn-型ドリフト層2と接触する領域において、複数のp型層8を配置し、この複数のp型層8が終端構造を構成するp型リサーフ層6やp型ガードリング層7よりも深くなるようにする。これにより、p型層8の下方位置全面において電界集中を受けることになり、PNダイオード部に全体でほぼ均等にサージ電流を流せるようにできるため、高いサージ耐圧を得ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、 前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、 前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部に開口部(3a)が形成された絶縁膜(3)と、 前記セル部に形成され、前記絶縁膜(3)の開口部(3a)を通じて、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)とを備えてなるショットキーバリアダイオード(10)と、 前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層(2)の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第2導電型のリサーフ層(6)を含む終端構造と、 前記リサーフ層(6)の内側となる前記ショットキー電極(4)のうち前記ドリフト層(2)と接する領域の下方に、前記ドリフト層(2)の表面において前記ショットキー電極(4)と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第2導電型層(8)とを備え、 前記複数の第2導電型層(8)と前記ドリフト層(2)とによりPNダイオードが構成され、 前記複数の第2導電型層(8)が前記リサーフ層(6)よりも深く形成されていることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (9件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104FF02 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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