特許
J-GLOBAL ID：200903071228986372
熱状態調節プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-557206
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519286
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：
【要約】平パネルガラス基板を熱状態調節するために、基板は真空中でランプの放射に直接露出され、そのランプは、そのスペクトル放射特性(b、c)が基板のガラスの吸収特性(a)と適合するように選択される。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの真空プロセスによって、引続き表面処理を行なうために少なくとも1つのガラス基板を熱状態調節するためのプロセスであって、 ・前記基板をチャンバに導入するステップと、 ・前記導入前に前記チャンバを真空にするか、または前記導入後に前記チャンバを真空にするステップと、 ・赤外スペクトルバンドにおける、波長の増加とともに吸収が上がるようなスペクトル吸収特性の下側の勾配を含む前記基板のスペクトル吸収特性を予め定めるステップと、 ・前記基板の前記吸収スペクトルと、少なくとも前記勾配の主な部分に沿って、および/またはより長い波長において重なる放射スペクトルバンドを有する少なくとも1つのランプを選択するステップと、 ・前記真空にしたチャンバ中の前記基板を、前記チャンバの真空雰囲気を介して直接的に前記ランプからの放射に露出するステップとを含む、プロセス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C03C 23/00 Z
, C03B 32/00
4G015EA00
, 4G059AA01
, 4G059AA08
, 4G059AB02
, 4G059AC30
