特許
J-GLOBAL ID：200903071235414732
半導体装置用基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107174
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】セラミックス基板と銅板とを接合した半導体装置用基板において、セラミックス基板と銅板との未接合部で生じる放電を防止する。【解決手段】セラミックス基板に銅板を接合後、基板を静水圧プレス、一軸加圧プレス、加圧ロール等で加圧することにより、セラミックス基板と銅板との間に生じた未接合空隙を押し潰して著しく偏平な空隙とする。厚いセラミックス基板を使用した場合、200MPa以上の圧力で加圧すれば放電電圧は1.5kV以上にすることができる。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板と銅板とを接合した半導体装置用基板において、セラミックス基板と銅板の接合した界面に、押し潰された形の著しく偏平な空隙を有することを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (5件)：
H01L 23/12
, C04B 37/02
, H01L 23/15
, H01L 23/14
, H05K 3/00
H01L 23/12 D
, C04B 37/02 C
, H05K 3/00 R
, H01L 23/14 C
, H01L 23/14 M
