特許
J-GLOBAL ID：200903071288870780
二酸化シリコン層の形成方法、及びトレンチ分離領域の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559590
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520852
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：
【要約】一つの態様においては、発明は二酸化シリコン層を形成する方法を含み、該方法は、a)二酸化シリコン先駆体を有する高濃度プラズマを基板に近接して形成する過程と;b)二酸化シリコンが、ある堆積速度で基板上に堆積されるように前記先駆体から二酸化シリコンを形成する過程と;c)堆積が行われる間、堆積された二酸化シリコンをプラズマによって、あるエッチング速度においてエッチングを行う過程であって、前記堆積速度と前記エッチング速度との比は少なくとも4:1としてエッチングを行う過程とを含む。他の態様においては、発明は二酸化シリコン層を形成する方法を含み、該方法は、a)基板に近接して高濃度プラズマを形成する過程と;b)ガスの少なくとも一部が二酸化シリコンを形成するようにプラズマにガスを注入する過程と;c)ガスで形成される二酸化シリコンを基板上に堆積する過程と;d)二酸化シリコンを堆積する間、基板の温度を500°Cあるいはそれ以上に維持する過程とを含む。さらに他の態様においては、発明は、二酸化シリコン層を形成する方法を含み、該方法は、a)基板に近接して高濃度プラズマを形成する過程と;b)ガスの少なくとも一部が二酸化シリコンを形成するようにプラズマにガスを注入する過程と;c)ガスで形成される二酸化シリコンを基板上に堆積する過程とを含み;d)二酸化シリコンを堆積する間においては、基板は冷却ガスによって冷却されない。
請求項（抜粋）：
二酸化シリコン層を形成する方法であって、該方法は、 基板近傍で高密度プラズマを発生させる過程と、 前記プラズマ内に、少なくとも一部のガスが二酸化シリコンを形成するガスを注入する過程と、 前記基板上に、前記ガスから形成された前記二酸化シリコンを堆積する過程と、 前記二酸化シリコンを堆積している間、前記基板の温度を約500°C以上に維持する過程と、 からなることを特徴とする二酸化シリコン層を形成する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/76 L
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA69
, 5F032DA04
, 5F058BA09
, 5F058BC02
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF29
, 5F058BF36
, 5F058BJ06
