特許
J-GLOBAL ID：200903071317775261

不揮発性半導体記録装置及びその製造方法

発明者：
北村 卓也

北村 卓也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032021
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232169
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 工程数を低減することができる不揮発性半導体記録装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下部が半導体基板30に埋め込まれると共に上部が基板30から突出した埋め込み絶縁膜3を選択的に形成する工程と、基板30の表面に選択的にゲート絶縁膜4を形成する工程と、シリコン膜5を全面に形成する工程と、絶縁膜6を全面に形成する工程と、シリコン膜7を全面に形成する工程と、埋め込み絶縁膜3の上面が露出する迄表面を平坦化する工程と、シリコン膜5及びシリコン膜7の表面に夫々絶縁膜8及び絶縁膜9を絶縁膜8の方が絶縁膜9より膜厚が厚くなるように形成する工程と、絶縁膜9のみ完全に除去されるように表面を平坦化する工程と、コントロールゲート用第2の金属膜を全面に形成する工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
下部が半導体基板に埋め込まれると共に上部が前記半導体基板から突出するように選択的に形成された埋め込み絶縁膜と、前記半導体基板の表面に形成されたゲート絶縁膜と、前記埋め込み絶縁膜の側面と前記ゲート絶縁膜の表面とにより規定された領域に凹状に形成されたフローティングゲート電極と、このフローティングゲート電極の凹部の内面上に形成された容量絶縁膜第1部と、前記フローティングゲート電極の上端上に形成された容量絶縁膜第2部と、前記凹部内に埋め込まれ上面の高さが前記埋め込み絶縁膜の上面の高さと実質的に等しいコントロールゲート電極第1部と、前記埋め込み絶縁膜、容量絶縁膜第1部、容量絶縁膜第2部及びコントロールゲート電極第1部の上に形成されたコントロールゲート電極第2部と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記録装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/115
FI (3件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/10 434
Fターム (32件)：
5F001AA02 ,  5F001AA25 ,  5F001AA31 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD60 ,  5F001AE50 ,  5F001AG02 ,  5F001AG07 ,  5F001AG21 ,  5F001AG22 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032CA21 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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