半導体基板の製造方法及びその製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008565
公開番号（公開出願番号）：特開平11-207583
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：

【要約】【課題】デバイスプロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止できる半導体基板の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】半導体基板の製造方法において、曲面が軸方向に形成される柱状の回転砥石701でウエハ201の面取りを行い、そのウエハ201の表面側のエッジ曲面が第1の円弧601を描き、前記ウエハ201の裏面側のエッジ曲面が第2の円弧602を描き、前記第1の円弧601の半径aが前記第2の円弧602の半径bより短く、かつ前記第2の円弧602の部分が前記ウエハ201の厚さの半分より表面側に位置するように形成する。

請求項（抜粋）：

(a)曲面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の面取りを行い、(b)前記半導体基板の表面側のエッジ曲面が第1の円弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第2の円弧を描き、前記第1の円弧の半径が前記第2の円弧の半径より短く、かつ前記第2の円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半分より表面側に位置するように形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

B24B 9/00 601 , H01L 21/304 601 , H01L 21/304 621

FI (3件)：

B24B 9/00 601 H , H01L 21/304 601 B , H01L 21/304 621 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体ウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-102683 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平4-129656
半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-173849 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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