特許
J-GLOBAL ID：200903071358779956

半導体装置の製造方法

発明者：
櫛田 知義

櫛田 知義 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278205
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093813
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 アニール処理温度の設定自由度の高く、スイッチング時間が短い半導体装置を製造できる製造方法を提供すること。【解決手段】 イオン注入法を用いて格子欠陥を形成し(工程S10)、アニール処理を行ない(工程S12)、素子形成領域内に低ライフタイム領域を形成した後、電極準備層を形成し(工程S16)、シンター処理を行ない(工程S18)、素子形成領域の表面に電極層を形成する。こうすれば、アニール処理の温度を自由に設定することができる。また、アニール処理の温度をシンター処理の温度より高くすることができるので、格子欠陥の密度を高くすることができる。この結果、半導体装置のスイッチング時間を短くすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子形成領域の少なくとも一部に低ライフタイム領域を熱処理を伴って形成する低ライフタイム領域形成工程と、該低ライフタイム領域形成工程の後に、前記半導体素子形成領域の表面の少なくとも一部に電極層を熱処理を伴って形成する電極層形成工程と、を備える半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/322 L ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 658 H
Fターム (2件)：
5F003BC02 ,  5F003BP41
引用特許：
審査官引用 (5件)
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