特許
J-GLOBAL ID：200903071395282581

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者：
池田 成明

池田 成明 について

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荒川 智志

荒川 智志 について

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粕川 秋彦

粕川 秋彦 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267558
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076016
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 エミッタメサを有するヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、ベース-コレクタ間の寄生容量Cbcを低減させ、最大発振周波数fmaxを向上させること。【解決手段】 同一の成長装置内で、基板1上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域6を形成するとともに、バッファ層2の一部を露出させ、その露出部分にInAlAsからなる埋め込み領域を成長させる。つぎに、ベース層9、メサ形状のエミッタ領域10、エミッタ電極12およびベース電極11を形成した後、前記埋め込み領域を酸化させてコレクタ領域6よりも低誘電率の絶縁領域4を形成し、さらにコレクタ電極7を形成する。このようにして、イオン注入をおこなわずに、外部ベース領域の下に絶縁領域4を設けることによって、ベース-コレクタ間の接合容量Cbcを低減させ、最大発振周波数fmaxを向上させる。
請求項（抜粋）：
基板上に積層されたAlを含む化合物半導体よりなるバッファ層と、前記バッファ層の一部の領域上に形成されたサブコレクタ領域と、前記サブコレクタ領域上に形成されたコレクタ領域と、Alを含む化合物半導体が酸化されてなる化合物からなり、前記バッファ層の残りの領域上に形成された絶縁領域と、前記コレクタ領域および前記絶縁領域上にまたがって積層されたベース層と、前記ベース層よりも広いバンドギャップを有し、前記コレクタ領域の上方で前記ベース層上に形成されたメサ形状のエミッタ領域と、少なくとも前記絶縁領域の上方で前記ベース層上に形成されたベース電極と、エミッタ電極およびコレクタ電極と、を具備したことを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205
FI (2件)：
H01L 29/205 ,  H01L 29/72
Fターム (12件)：
5F003AP05 ,  5F003BA92 ,  5F003BC02 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BP46 ,  5F003BP96
引用特許：
審査官引用 (4件)
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