特許
J-GLOBAL ID：200903071397531635
半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-380186
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180447
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】ボイドの発生を抑制する。【解決手段】密閉可能な容器内に半田付け対象物を収容するとともに、当該容器内に還元性ガスを供給し、容器内の圧力を常圧以上の圧力まで加圧した状態で半田付けを行う。加圧状態は、半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において維持する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
容器内に回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物を収容し、還元性ガスからなる雰囲気ガス又は当該還元性ガスを含む雰囲気ガスで前記容器内を満たした状態で前記半田を溶融温度以上の温度まで加熱して前記半田を溶融し、その後に前記温度を前記溶融温度未満の温度まで下げて前記半田を凝固させることにより、前記回路基板と半導体素子とを半田付けする半田付け方法であって、
前記容器は、密閉可能に構成されており、
前記温度が前記溶融温度に達するまでの間に前記雰囲気ガスによって前記容器内の圧力を前記常圧以上の溶融開始時圧力まで加圧するとともに、前記半田の溶融開始から当該半田が凝固するまでの半田溶融域において前記容器内の圧力を前記溶融開始時圧力以上の圧力とすることにより、加圧状態で半田付けを行うことを特徴とする半田付け方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5E319AA03
, 5E319BB02
, 5E319CC33
, 5E319GG03
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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