III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133843
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】SiまたはGe基板上の、凹凸のない結晶性に優れたIII 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】SiまたはGe基板に成膜されたAlx Ga yIn 1-x-yN (但し、0 ≦x,y ≦1 、x+y ≦1 )からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜を前記基板上に成膜されたCaF2、SrF2またはBaF2からなるフッ化物薄膜2上に成膜する。

請求項（抜粋）：

SiまたはGe基板に成膜されたAlx Ga yIn 1-x-yN (但し、0 ≦x,y ≦1 、x+y ≦1 )からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜は前記基板上に成膜されたCaF2、SrF2またはBaF2からなるフッ化物薄膜上に成膜されていることを特徴とする III族窒化物半導体薄膜。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 M

Fターム (11件)：

5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA66 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103NN01 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-061187 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305257 出願人：旭化成工業株式会社
窒化物系半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211793 出願人：旭化成工業株式会社

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