特許
J-GLOBAL ID：200903071419761931
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338399
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135270
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】絶縁基板に半導体チップを半田マウントしたパワー半導体装置を対象に、半導体チップの発熱密度の集中を緩和し、併せてチップ上面側からの放熱性を高め、パワーサイクル耐量を向上化したモジュール組立構造、配線リードの接続に有効な製造方法。【解決手段】ヒートスプレッダの上面に配線リードとしてストラップ状の金属箔11を重ねて超音波接合した配線構造とし、製造工程でヒートスプレッダ/金属箔間を超音波接合する際に、半導体チップ,半田接合部のダメージ発生を防いでヒートスプレッダ/金属箔間に所要接合面積の通電路を確保して超音波接合が行えるように、超音波ホーンの端面にローレット加工して突起を形成しておき、超音波接合の際に前記突起を金属箔の箔面上に押し当て、当接箇所に押圧荷重,超音波振動を印加し、ヒートスプレッダ/金属箔間の重なり面域に分散して所要の通電容量に対応した超音波接合部を形成する。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
絶縁基板にマウントしたパワー半導体チップに対し、該半導体チップの上面に導電性のヒートスプレッダを搭載して半導体チップの主電極面との間を半田接合した上で、ヒートスプレッダの上面に配線リードとしてストラップ状の金属箔を重ねて超音波接合した配線構造になる半導体装置において、金属箔/ヒートスプレッダ間の通電路となる接合箇所を前記金属箔とヒートスプレッダの重なり面域に分散させて超音波接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/60 321E
, H01L21/607 B
