特許

J-GLOBAL ID：200903071435363172

半導体集積回路及びその製造方法

発明者： 榊原 勝利 ,  和田 守夫 ,  津波古 克吉 ,  土橋 万知夫 ,  塚田 隆士
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209512
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056019
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 金の汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半導体集積回路を実現する。【解決手段】 フリップチップボンディングを用いた半導体集積回路において、ウェハ上に形成されたアルミニウム配線と、ウェハ及びアルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、アルミニウム配線上であって絶縁膜が除去された部分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさらに形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、このバリアメタル上に形成されたハンダバンプとを設ける。

請求項（抜粋）：

フリップチップボンディングを用いた半導体集積回路において、ウェハ上に形成されたアルミニウム配線と、前記ウェハ及び前記アルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、前記アルミニウム配線上であって前記絶縁膜が除去された部分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさらに形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、このバリアメタル上に形成されたハンダバンプとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-114237
  
• 特開昭63-110751
  
• ICチップの接続方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-283594   出願人：田中電子工業株式会社
• 半田ワイヤの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-267312   出願人：田中電子工業株式会社