試料研磨装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-308964
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】厚さのばらつきを有する平板状の試料の表面を全面に亘ってほぼ均一の研磨量だけ研磨することができ、試料の研磨量の均一性を良好にすることができるようにする。【解決手段】保持定盤1の試料保持面に、試料Wの厚さのばらつきを裏面側で吸収する弾性層9を略全面に亘って設け、この弾性層9に試料Wの裏面を全面に亘って対面させ、該試料Wを全面に亘って弾性層9に弾性的に保持させ、試料Wの表面を研磨パッド5に押付けて研磨するとき、試料Wの厚さのばらつきに見合って弾性層9を撓ませ、試料Wの表面に加わる押圧力のばらつきを小さくするようにした。

請求項（抜粋）：

試料保持面を有する保持定盤の前記試料保持面に裏面が保持された平板状の試料の表面を研磨パッドに押付けて研磨する試料研磨装置において、前記試料保持面は、前記試料の厚さのばらつきを裏面側で吸収する弾性層を略全面に亘って具備することを特徴とする試料研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/04 H , H01L 21/304 622 K , H01L 21/304 622 H

Fターム (4件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AB04 , 3C058CB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

研磨装置及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-140658 出願人：セイコーエプソン株式会社
ウェーハホルダおよび半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-139895 出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
ウエーハ研磨用固定板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-172826 出願人：信越半導体株式会社

全件表示

前のページに戻る