特許
J-GLOBAL ID:200903071459110364

エッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-350082
公開番号(公開出願番号):特開2003-151953
出願日: 2001年11月15日
公開日(公表日): 2003年05月23日
要約:
【要約】【課題】 SiC基板などの基材においてRIEを行なう場合でも良好なエッチング面を得ることのできるエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチング方法は、基材としてのSiC基板1の主表面に、金属層による金属パターン21とその上側を覆うレジスト層によるレジストパターン31とを含む所定パターン形状の積層パターン5を配置し、この積層パターン5をマスクとしてSiC基板1の反応性イオンエッチング(RIE)を行なう基材エッチング工程を含む。
請求項(抜粋):
基材の主表面に、金属層とその上側を覆うレジスト層とを含む所定パターン形状の積層パターンを配置し、前記積層パターンをマスクとして前記基材の反応性イオンエッチングを行なう基材エッチング工程を含む、エッチング方法。
Fターム (9件):
5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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