不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078071
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275489
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置において、ビット線のプリチャージを早期に完了して、データの読み出し動作を高速にする。【解決手段】ビット線プリチャージ信号CLKによりプリチャージ回路6の充電トランジスタQPがONし、電源をビット線選択回路2に接続する。1個のメモリセル(例えばM(1,1))からデータを読み出す場合、前記選択回路2では、列デコーダ5からのアドレスデコード信号C1〜Cnを受けて選択トランジスタQC1がONし、前記メモリセルM(1,1) に接続されたビット線(BL1)が選択され、これがビット線選択回路2を介してプリチャージ回路6によりプリチャージされる。この時、ビット線プリチャージ回路9では、前記ONした選択トランジスタQC1に対応するNAND回路N1により、充電トランジスタQBP1がONし、前記選択されたビット線(BL1)が直接プリチャージされる。

請求項（抜粋）：

各々メモリセルに接続される複数のビット線と、アドレス信号をデコードしたアドレスデコード信号を受け、このアドレスデコード信号に基いて、前記複数のビット線のうちデータを読み出すべきメモリセルに接続されるビット線を選択するビット線選択回路と、前記ビット線選択回路に接続され、このビット線選択回路を介して前記データを読み出すべきメモリセルに接続されるビット線をプリチャージするプリチャージ回路と、前記アドレスデコード信号を受け、このアドレスデコード信号に基いて、前記データを読み出すべきメモリセルに接続されるビット線を直接にプリチャージする直接プリチャージ回路とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 16/04

FI (2件)：

G11C 17/00 634 B , G11C 17/00 622 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-119266 出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
読み出し専用メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-223626 出願人：三菱電機株式会社
特開昭61-258395

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