特許
J-GLOBAL ID：200903071493584197

暗電流を減少させたイメージセンサの製造方法

発明者：
李 柱日

李 柱日 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 長谷 照一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329424
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282856
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 暗電流による画質低下を抑制することに好適なイメージセンサの製造方法を提供する。【解決手段】 フォトダイオード、ゲートおよび保護膜の順に行なわれるCMOSロジック工程、カラーフィルタ形成工程並びにマイクロレンズ形成工程の順に行なわれるイメージセンサの製造方法において、CMOSロジック工程の後に、フォトダイオード表面まで水素イオンを拡散させて、フォトダイオード表面に発生したダングリングボンドを除去する。
請求項（抜粋）：
フォトダイオード、トランジスタゲート、保護膜の順に行なわれるCMOSロジック工程、カラーフィルタ形成工程及びマイクロレンズ形成工程の順に行なわれるイメージセンサの製造方法であって、前記ロジック工程の後に、前記フォトダイオードの表面に水素イオンを拡散させて前記フォトダイオード表面に発生したダングリングボンドを除去するステップを含んでなることを特徴とするイメージセンサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
Fターム (28件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA12 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049PA01 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F049QA09 ,  5F049QA20 ,  5F049RA06 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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