特許
J-GLOBAL ID：200903071491591919
CMOSイメージセンサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392084
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267547
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】フォトダイオード領域の表面で発生する暗電流を減少させることができるイメージセンサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板41上に形成されたフォトダイオード47と周辺素子とを含む半導体構造体を提供する第1ステップと、前記半導体構造体上に絶縁膜52を形成する第2ステップと、前記絶縁膜上に水素イオンを含有する水素含有誘電体膜53を形成する第3ステップと、前記水素含有絶縁層内の水素イオンを前記フォトダイオードの表面に拡散させてダングリングボンド(dangling bond)を除去する第4ステップと、前記水素含有誘電体膜を除去する第5ステップとを含んでなるCMOSイメージセンサの製造方法。
請求項（抜粋）：
CMOSイメージセンサの製造方法において、半導体基板上に形成されたフォトダイオードと周辺素子とを含む半導体構造体を提供する第1ステップと、前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する第2ステップと、前記絶縁膜上に水素イオンを含有する水素含有誘電体膜を形成する第3ステップと、前記水素含有絶縁層内の水素イオンを前記フォトダイオードの表面に拡散させてダングリングボンド(dangling bond)を除去する第4ステップと、前記水素含有誘電体膜を除去する第5ステップとを含んでなるCMOSイメージセンサの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/146
, H01L 21/316
, H01L 31/10
, H04N 5/335
H01L 21/316 P
, H04N 5/335 E
, H04N 5/335 U
, H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
