特許
J-GLOBAL ID：200903071516470470
ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303265
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130669
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 ポリヒドロキシスチレン(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該(B)がクレゾールフタレイン、フェノールフタレイン、チモールフタレインのOH基の少なくとも一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された化合物であり、該(C)が、一般式(化1):(R)n AM(式中Rは(置換)芳香族基、AはS又はI、Mはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート基、nは2又は3)のオニウム塩で、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1であるレジスト材料。
請求項（抜粋）：
ポリヒドロキシスチレン(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該溶解阻害剤(B)がクレゾールフタレイン、フェノールフタレインあるいはチモールフタレインのヒドロキシ基の一部あるいはすべてがt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された化合物の中から選択された化合物であり、該オニウム塩(C)が下記式(化1):【化1】(R)n AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示し、nは2又は3を示す)で表されるオニウム塩であり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であることを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/029
, H01L 21/027
