特許

J-GLOBAL ID：200903071532441021

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 中村 浩三 ,  最勝寺 俊昭
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330713
公開番号（公開出願番号）：特開2000-159594
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】【課題】 無欠陥単結晶を得るのに一層好適な成長条件を突き止め、成長欠陥のない高品質なシリコンウェーハを安定供給できる製造方法を確立する。【解決手段】 チュクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min)とし、シリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/Gの値を結晶中心位置と結晶外周までの位置との間で0.16〜0.18mm2/°Cminとし、シリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Gの結晶の外側面と結晶中心での値の比Gouter/G centerを1.10以下とする。

請求項（抜粋）：

チュクラルスキー法により、以下の条件でシリコン単結晶バルクを製造する方法。(a)結晶中心位置と結晶外周までの位置との間のV/G値=0.16〜0.18mm2/°C・min(b)G outer/G center≦1.10ここで、V(mm/min)はチュクラルスキー法における引き上げ速度、G(°C/mm)はシリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値、G outerは結晶の外側面におけるG値、G centerは結晶中心におけるG値である。

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077CF10 ,  4G077EG12 ,  4G077EG18 ,  4G077EG20 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158458   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-318704   出願人：住友シチックス株式会社